FET, MOSFET 어레이

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 구성 FET 기능 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds 전력 - 최대 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 구성 FET 기능 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds 전력 - 최대 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
AM4910N

AM4910N

MOSFET 2N-CH 30V 11A SO-8

Analog Power Inc.

1 -
RFQ

-

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 30V 10A (Ta) 13.5mOhm @ 10A, 10V 1V @ 250µA 20nC @ 5V - 2.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
AM4890N

AM4890N

MOSFET N-CH 150V 1.4A SO-8

Analog Power Inc.

1 -
RFQ

-

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) - - - 1.4A (Ta) 700mOhm @ 1.2A, 10V 1V @ 250µA - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
2N7002DW

2N7002DW

60V 115MA 7.5@10V,500MA 200MW 2.

Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

6,182 -
RFQ

-

* - Active - - - - - - - - - - - - - - -
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