가변 캐패시턴스(배리캡, 배랙터)

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 커패시턴스 @ Vr, F 커패시턴스 비율 커패시턴스 비율 조건 전압 - 피크 역방향(최대) 다이오드 유형 Q @ Vr, F 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

가변 커패시턴스(바리캡, 바랙터)

TomatoElec는 RF, 통신, 튜닝 및 일반 전자 응용 분야를 위한 가변 커패시턴스 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 주파수 제어, 튜닝 및 신호 처리 회로 설계에 사용되는 바리캡, 바랙터 및 기타 일반적인 가변 커패시턴스 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 바랙터 및 바리캡 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 가변 커패시턴스 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 커패시턴스 @ Vr, F 커패시턴스 비율 커패시턴스 비율 조건 전압 - 피크 역방향(최대) 다이오드 유형 Q @ Vr, F 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
KVX3901A-23-0

KVX3901A-23-0

SI TVAR NON HERMETIC PLASTIC SMT

Microchip Technology

125 -
RFQ
KVX3901A-23-0 데이터시트 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active 32pF @ 3V, 1MHz - - 27 V Single 500 @ 4V, 50MHz -55°C ~ 125°C - - Surface Mount SOT-23-3
GC1213-23-0

GC1213-23-0

SI TVAR NON HERMETIC PLASTIC SMT

Microchip Technology

163 -
RFQ
GC1213-23-0 데이터시트 GCX1200-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active 10pF @ 4V, 1MHz 4.1 C0/C30 30 V Single 1800 @ 4V, 50MHz -55°C ~ 125°C - - Surface Mount SOT-23-3
KVX1501-23-0

KVX1501-23-0

SI TVAR NON HERMETIC PLASTIC SMT

Microchip Technology

146 -
RFQ
KVX1501-23-0 데이터시트 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active 10.6pF @ 10V, 1MHz - - 12 V Single 50 @ 2V, 10MHz -55°C ~ 125°C - - Surface Mount SOT-23-3
GCX1210-23-4

GCX1210-23-4

SI TVAR NON HERMETIC PLASTIC SMT

Microchip Technology

106 -
RFQ
GCX1210-23-4 데이터시트 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active 5.6pF @ 4V, 1MHz 4.0 C0/C30 30 V 1 Pair Common Cathode 2000 @ 4V, 50MHz -55°C ~ 125°C - - Surface Mount SOT-23-3
MSV34-075-C11

MSV34-075-C11

VARACTOR DIODE,CHIP,C11

MACOM Technology Solutions

104 -
RFQ
MSV34-075-C11 데이터시트 - Die Bulk Active - - - 30 V Single 3600 @ 4V, 50MHz -65°C ~ 200°C - - Surface Mount Die
MGV125-20

MGV125-20

VARACTOR DIODE,GAAS,HYPERABRUPT,

MACOM Technology Solutions

200 -
RFQ
MGV125-20 데이터시트 MGV Die Tray Active 0.55pF @ 4V, 1MHz 10.0 C2/C20 22 V Single 4000 @ 4V, 50MHz - - - Surface Mount Chip
BB131

BB131

VARIABLE CAPACITANCE DIODE, VERY

NXP USA Inc.

547,000 -
RFQ
BB131 데이터시트 - SC-76, SOD-323 Bulk Active 1.055pF @ 28V, 1MHz 16.0 C0.5/C28 30 V Single - -55°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount SOD-323
BB156

BB156

VARIABLE CAPACITANCE DIODE, 16PF

NXP USA Inc.

33,000 -
RFQ
BB156 데이터시트 - SC-76, SOD-323 Bulk Obsolete 5.4pF @ 7.5V, 1MHz 3.9 C1/C7.5 10 V Single - -55°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount SOD-323
BB55502VH7912XTSA1

BB55502VH7912XTSA1

BB555 - VARIABLE CAPACITANCE DIO

Infineon Technologies

420,775 -
RFQ
BB55502VH7912XTSA1 데이터시트 - SC-79, SOD-523 Bulk Active 2.3pF @ 28V, 1MHz 9.8 C1/C28 30 V Single - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SC79-2
BB156/DG/B2

BB156/DG/B2

NO DESCRIPTION

NXP USA Inc.

9,000 -
RFQ
BB156/DG/B2 데이터시트 - SC-76, SOD-323 Bulk Not For New Designs 5.4pF @ 7.5V, 1MHz 3.9 C1/C7.5 10 V Single - -55°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount SOD-323
HVD396CKRF-E

HVD396CKRF-E

HVD396 - VARIABLE CAPACITANCE DI

Renesas

144,000 -
RFQ
HVD396CKRF-E 데이터시트 - SOD-723 Bulk Active 6.5pF @ 4V, 1MHz 2.3 C1/C4 10 V Single - 125°C (TJ) - - Surface Mount 2-SFP
HVD355BKRF-E

HVD355BKRF-E

HVD355 - VARIABLE CAPACITANCE DI

Renesas

96,000 -
RFQ
HVD355BKRF-E 데이터시트 - SOD-723 Bulk Active 2.95pF @ 4V, 1MHz 2.2 C1/C4 15 V Single - 125°C (TJ) - - Surface Mount 2-SFP
LV2209

LV2209

VARIABLE CAPACITANCE DIODE, 33PF

onsemi

28,000 -
RFQ
LV2209 데이터시트 - TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) Bulk Obsolete 36.3pF @ 4V, 1MHz 3.0 C2/C30 25 V Single 200 @ 4V, 50MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92
BB131,115

BB131,115

VHF VARIABLE CAPACITANCE DIODE

NXP Semiconductors

12,000 -
RFQ
BB131,115 데이터시트 - SC-76, SOD-323 Bulk Obsolete 1.055pF @ 28V, 1MHz 16.0 C0.5/C28 30 V Single - -55°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount SOD-323
BB202

BB202

VARIABLE CAPACITANCE DIODE, SILI

NXP USA Inc.

50,000 -
RFQ
BB202 데이터시트 - SC-79, SOD-523 Bulk Not For New Designs 11.2pF @ 2.3V, 1MHz 2.5 C0.2/C2.3 6 V Single - -55°C ~ 85°C (TJ) - - Surface Mount SOD-523
HVU306ATRU-E

HVU306ATRU-E

VARIABLE CAPACITANCE DIODE, VERY

Renesas Electronics Corporation

174,000 -
RFQ
HVU306ATRU-E 데이터시트 - - Bulk Active - - - - - - - - - - -
HVU350TRF

HVU350TRF

VARIABLE CAPACITANCE DIODE, 15V

Renesas Electronics Corporation

132,000 -
RFQ
HVU350TRF 데이터시트 - - Bulk Active - - - - - - - - - - -
MV2111

MV2111

DIODE VAR CAP SINGLE 30V 42.3PF

onsemi

4,000 -
RFQ
MV2111 데이터시트 - DO-204AA, DO-7, Axial Bulk Active 51.7pF @ 4V, 1MHz 3.2 C2/C30 30 V Single 150 @ 4V, 50MHz 150°C (TJ) - - Through Hole DO-204AA
MV2108

MV2108

DIODE VAR CAP SINGLE 30V 27PF 2-

onsemi

35,781 -
RFQ
MV2108 데이터시트 - DO-204AA, DO-7, Axial Bulk Active 29.7pF @ 4V, 1MHz 3.2 C2/C30 30 V Single 300 @ 4V, 50MHz 150°C (TJ) - - Through Hole DO-204AA
MA46H201-1056

MA46H201-1056

DIODE VARACTOR DUAL GAAS

MACOM Technology Solutions

100 -
RFQ
MA46H201-1056 데이터시트 - 2-SMD Bulk Active 1.1pF @ 4V, 1MHz 4.1 C2/C20 22 V Single 3000 @ 4V, 50MHz -65°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount -
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