단일 바이폴라 트랜지스터

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 트랜지스터 유형 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) Vce 포화(최대) @ Ib, Ic 전류 - 콜렉터 차단(최대) DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전력 - 최대 주파수 - 전환 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

단일 바이폴라 트랜지스터

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 제어 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 바이폴라 트랜지스터를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 증폭, 스위칭 및 신호 제어 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 BJT 트랜지스터 제품을 포함합니다.

당사는 단일 바이폴라 트랜지스터 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 트랜지스터 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 트랜지스터 유형 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) Vce 포화(최대) @ Ib, Ic 전류 - 콜렉터 차단(최대) DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전력 - 최대 주파수 - 전환 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
2SC5549,T6F(J

2SC5549,T6F(J

TRANS NPN 400V 1A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

7,458 -
RFQ
2SC5549,T6F(J

데이터시트

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 1 A 400 V 1V @ 25mA, 200mA 100µA (ICBO) 20 @ 40mA, 5V 900 mW - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC6010(T2MITUM,FM

2SC6010(T2MITUM,FM

TRANS NPN 600V 1A MSTM

Toshiba Semiconductor and Storage

6,294 -
RFQ
2SC6010(T2MITUM,FM

데이터시트

- SC-71 Bulk Obsolete NPN 1 A 600 V 1V @ 75mA, 600mA 100µA (ICBO) 100 @ 100mA, 5V 1 W - 150°C (TJ) - - Through Hole MSTM
2SC6040(TPF2,Q,M)

2SC6040(TPF2,Q,M)

TRANS NPN 800V 1A MSTM

Toshiba Semiconductor and Storage

7,096 -
RFQ
2SC6040(TPF2,Q,M)

데이터시트

- SC-71 Bulk Obsolete NPN 1 A 800 V 1V @ 100mA, 800mA 100µA (ICBO) 60 @ 100mA, 5V 1 W - 150°C (TJ) - - Through Hole MSTM
2SC6040,T2Q(J

2SC6040,T2Q(J

TRANS NPN 800V 1A MSTM

Toshiba Semiconductor and Storage

6,598 -
RFQ
2SC6040,T2Q(J

데이터시트

- SC-71 Bulk Obsolete NPN 1 A 800 V 1V @ 100mA, 800mA 100µA (ICBO) 60 @ 100mA, 5V 1 W - 150°C (TJ) - - Through Hole MSTM
2SC6042,T2HOSH1Q(J

2SC6042,T2HOSH1Q(J

TRANS NPN 375V 1A MSTM

Toshiba Semiconductor and Storage

9,701 -
RFQ
2SC6042,T2HOSH1Q(J

데이터시트

- SC-71 Bulk Obsolete NPN 1 A 375 V 1V @ 100mA, 800mA 100µA (ICBO) 100 @ 100mA, 5V 1 W - 150°C (TJ) - - Through Hole MSTM
2SC6139,T2F(M

2SC6139,T2F(M

TRANS NPN 160V 1.5A MSTM

Toshiba Semiconductor and Storage

2,711 -
RFQ
2SC6139,T2F(M

데이터시트

- SC-71 Bulk Obsolete NPN 1.5 A 160 V 500mV @ 50mA, 500mA 100nA (ICBO) 140 @ 100mA, 5V 1 W 100MHz 150°C (TJ) - - Through Hole MSTM
2SD2129,ALPSQ(M

2SD2129,ALPSQ(M

TRANS NPN 100V 3A TO-220NIS

Toshiba Semiconductor and Storage

6,454 -
RFQ
2SD2129,ALPSQ(M

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete NPN 3 A 100 V 2V @ 12mA, 3A 100µA (ICBO) 2000 @ 1.5A, 3V 2 W - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220NIS
2SD2129,LS4ALPSQ(M

2SD2129,LS4ALPSQ(M

TRANS NPN 100V 3A TO-220NIS

Toshiba Semiconductor and Storage

6,136 -
RFQ
2SD2129,LS4ALPSQ(M

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete NPN 3 A 100 V 2V @ 12mA, 3A 100µA (ICBO) 2000 @ 1.5A, 3V 2 W - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220NIS
2SD2206(T6CANO,F,M

2SD2206(T6CANO,F,M

TRANS NPN 100V 2A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

9,318 -
RFQ
2SD2206(T6CANO,F,M

데이터시트

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 2 A 100 V 1.5V @ 1mA, 1A 10µA (ICBO) 2000 @ 1A, 2V 900 mW 100MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SD2206(TE6,F,M)

2SD2206(TE6,F,M)

TRANS NPN 100V 2A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

2,183 -
RFQ
2SD2206(TE6,F,M)

데이터시트

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 2 A 100 V 1.5V @ 1mA, 1A 10µA (ICBO) 2000 @ 1A, 2V 900 mW 100MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SD2206,T6F(J

2SD2206,T6F(J

TRANS NPN 100V 2A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

4,964 -
RFQ
2SD2206,T6F(J

데이터시트

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 2 A 100 V 1.5V @ 1mA, 1A 10µA (ICBO) 2000 @ 1A, 2V 900 mW 100MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SD2206A(T6SEP,F,M

2SD2206A(T6SEP,F,M

TRANS NPN 120V 2A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

8,270 -
RFQ
2SD2206A(T6SEP,F,M

데이터시트

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 2 A 120 V 1.5V @ 1mA, 1A - 2000 @ 1A, 2V 900 mW - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SD2257(CANO,A,Q)

2SD2257(CANO,A,Q)

TRANS NPN 100V 3A TO-220NIS

Toshiba Semiconductor and Storage

8,458 -
RFQ
2SD2257(CANO,A,Q)

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete NPN 3 A 100 V 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 10µA (ICBO) 2000 @ 2A, 2V 2 W - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220NIS
2SD2257(CANO,Q,M)

2SD2257(CANO,Q,M)

TRANS NPN 100V 3A TO-220NIS

Toshiba Semiconductor and Storage

7,481 -
RFQ
2SD2257(CANO,Q,M)

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete NPN 3 A 100 V 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 10µA (ICBO) 2000 @ 2A, 2V 2 W - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220NIS
2SD2257(Q,M)

2SD2257(Q,M)

TRANS NPN 100V 3A TO-220NIS

Toshiba Semiconductor and Storage

2,029 -
RFQ
2SD2257(Q,M)

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete NPN 3 A 100 V 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 10µA (ICBO) 2000 @ 2A, 2V 2 W - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220NIS
2SD2257,KEHINQ(J

2SD2257,KEHINQ(J

TRANS NPN 100V 3A TO-220NIS

Toshiba Semiconductor and Storage

9,706 -
RFQ
2SD2257,KEHINQ(J

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete NPN 3 A 100 V 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 10µA (ICBO) 2000 @ 2A, 2V 2 W - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220NIS
2SD2257,Q(J

2SD2257,Q(J

TRANS NPN 100V 3A TO-220NIS

Toshiba Semiconductor and Storage

8,441 -
RFQ
2SD2257,Q(J

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete NPN 3 A 100 V 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 10µA (ICBO) 2000 @ 2A, 2V 2 W - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220NIS
2SD2695(T6CANO,A,F

2SD2695(T6CANO,A,F

TRANS NPN 60V 2A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

3,088 -
RFQ
2SD2695(T6CANO,A,F

데이터시트

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 2 A 60 V 1.5V @ 1mA, 1A 10µA (ICBO) 2000 @ 1A, 2V 900 mW 100MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SD2695(T6CNO,A,F)

2SD2695(T6CNO,A,F)

TRANS NPN 60V 2A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

4,119 -
RFQ
2SD2695(T6CNO,A,F)

데이터시트

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 2 A 60 V 1.5V @ 1mA, 1A 10µA (ICBO) 2000 @ 1A, 2V 900 mW 100MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SD2695,T6F(J

2SD2695,T6F(J

TRANS NPN 60V 2A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

9,333 -
RFQ
2SD2695,T6F(J

데이터시트

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 2 A 60 V 1.5V @ 1mA, 1A 10µA (ICBO) 2000 @ 1A, 2V 900 mW 100MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
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