FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
SI7421DN-T1-E3

SI7421DN-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

3,568 -
RFQ
SI7421DN-T1-E3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Last Time Buy P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.4A (Ta) 4.5V, 10V 25mOhm @ 9.8A, 10V 3V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V - - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
IRFR420APBF

IRFR420APBF

MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK

Vishay Siliconix

1,695 -
RFQ
IRFR420APBF

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 3.3A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V 340 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
NVTFS6H850NLTAG

NVTFS6H850NLTAG

MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN

onsemi

878 -
RFQ
NVTFS6H850NLTAG

데이터시트

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 14.8A (Ta), 64A (Tc) 4.5V, 10V 8.6mOhm @ 10A, 10V 2V @ 70µA 26 nC @ 10 V ±20V 1450 pF @ 40 V - 3.9W (Ta), 73W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
VN4012L-G

VN4012L-G

MOSFET N-CH 400V 160MA TO92-3

Microchip Technology

457 -
RFQ
VN4012L-G

데이터시트

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bag Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 160mA (Tj) 4.5V 12Ohm @ 100mA, 4.5V 1.8V @ 1mA - ±20V 110 pF @ 25 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
TP2635N3-G

TP2635N3-G

MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3

Microchip Technology

344 -
RFQ
TP2635N3-G

데이터시트

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bag Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 350 V 180mA (Tj) 2.5V, 10V 15Ohm @ 300mA, 10V 2V @ 1mA - ±20V 300 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
SQJ850EP-T2_GE3

SQJ850EP-T2_GE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Vishay Siliconix

8,710 -
RFQ
SQJ850EP-T2_GE3

데이터시트

- PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 24A (Tc) 4.5V, 10V 23mOhm @ 10.3A, 10V 2.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 1225 pF @ 30 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
IPD30N06S215ATMA2

IPD30N06S215ATMA2

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31

Infineon Technologies

6,559 -
RFQ
IPD30N06S215ATMA2

데이터시트

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 10V 14.7mOhm @ 30A, 10V 4V @ 80µA 110 nC @ 10 V ±20V 1485 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
IRFR014PBF

IRFR014PBF

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

Vishay Siliconix

1,978 -
RFQ
IRFR014PBF

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7.7A (Tc) 10V 200mOhm @ 4.6A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
STF2N80K5

STF2N80K5

MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP

STMicroelectronics

846 -
RFQ
STF2N80K5

데이터시트

SuperMESH5™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2A (Tc) 10V 4.5Ohm @ 1A, 10V 5V @ 100µA 3 nC @ 10 V 30V 95 pF @ 100 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
BSZ084N08NS5ATMA1

BSZ084N08NS5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON

Infineon Technologies

34,017 -
RFQ
BSZ084N08NS5ATMA1

데이터시트

OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 40A (Tc) 6V, 10V 8.4mOhm @ 20A, 10V 3.8V @ 31µA 25 nC @ 10 V ±20V 1820 pF @ 40 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
RQ3L090GNTB

RQ3L090GNTB

MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT

Rohm Semiconductor

17,625 -
RFQ
RQ3L090GNTB

데이터시트

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 9A (Ta), 30A (Tc) 4.5V, 10V 13.9mOhm @ 9A, 10V 2.7V @ 300µA 24.5 nC @ 10 V ±20V 1260 pF @ 30 V - 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
SIS184DN-T1-GE3

SIS184DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK

Vishay Siliconix

10,364 -
RFQ
SIS184DN-T1-GE3

데이터시트

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17.4A (Ta), 65.3A (Tc) 7.5V, 10V 5.8mOhm @ 10A, 10V 3.4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V 1490 pF @ 30 V - 3.7W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
TPH4R50ANH1,LQ

TPH4R50ANH1,LQ

MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)

Toshiba Semiconductor and Storage

6,077 -
RFQ
TPH4R50ANH1,LQ

데이터시트

U-MOSVIII-H 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 92A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 46A, 10V 4V @ 1mA 58 nC @ 10 V ±20V 5200 pF @ 50 V - 800mW (Ta) 150°C - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
IPD80R750P7ATMA1

IPD80R750P7ATMA1

MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3

Infineon Technologies

4,134 -
RFQ
IPD80R750P7ATMA1

데이터시트

CoolMOS™ P7 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 7A (Tc) 10V 750mOhm @ 2.7A, 10V 3.5V @ 140µA 17 nC @ 10 V ±20V 460 pF @ 500 V - 51W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPD60R280PFD7SAUMA1

IPD60R280PFD7SAUMA1

MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3

Infineon Technologies

2,879 -
RFQ
IPD60R280PFD7SAUMA1

데이터시트

CoolMOS™ PFD7 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 280mOhm @ 3.6A, 10V 4.5V @ 180µA 15.3 nC @ 10 V ±20V 656 pF @ 400 V - 51W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-344
STP10N60M2

STP10N60M2

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

STMicroelectronics

689 -
RFQ
STP10N60M2

데이터시트

MDmesh™ II Plus TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.5A (Tc) 10V 600mOhm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 13.5 nC @ 10 V ±25V 400 pF @ 100 V - 85W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IPD22N08S2L50ATMA1

IPD22N08S2L50ATMA1

MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3

Infineon Technologies

9,994 -
RFQ
IPD22N08S2L50ATMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 27A (Tc) 5V, 10V 50mOhm @ 50A, 10V 2V @ 31µA 33 nC @ 10 V ±20V 630 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
PSMN2R0-30YLDX

PSMN2R0-30YLDX

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

7,117 -
RFQ
PSMN2R0-30YLDX

데이터시트

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 2mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 46 nC @ 10 V ±20V 2969 pF @ 15 V - 142W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
SI4090BDY-T1-GE3

SI4090BDY-T1-GE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-

Vishay Siliconix

7,063 -
RFQ
SI4090BDY-T1-GE3

데이터시트

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12.2A (Ta), 18.7A (Tc) 6V, 10V 10mOhm @ 12.2A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 3570 pF @ 50 V - 3.1W (Ta), 7.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
IRF9530PBF-BE3

IRF9530PBF-BE3

MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB

Vishay Siliconix

3,387 -
RFQ
IRF9530PBF-BE3

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Tc) - 300mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
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