단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
UPR60E3/TR7

UPR60E3/TR7

DIODE GEN PURP 600V 2A POWERMITE

Microchip Technology

8,710 -
RFQ
UPR60E3/TR7

데이터시트

- DO-216AA Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 2A 1.6 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 1 µA @ 600 V - - - Surface Mount Powermite -55°C ~ 150°C
FESF16JT-E3/45

FESF16JT-E3/45

DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

220 -
RFQ
FESF16JT-E3/45

데이터시트

- TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 16A 1.5 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole ITO-220AC -65°C ~ 150°C
STTH12R06DIRG

STTH12R06DIRG

DIODE GP 600V 12A TO220AC INS

STMicroelectronics

386 -
RFQ
STTH12R06DIRG

데이터시트

- TO-220-2 Insulated, TO-220AC Tube Active Standard 600 V 12A 2.9 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 45 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC ins 175°C (Max)
MBR30170MFST1G

MBR30170MFST1G

DIODE SCHOTTKY 170V 30A 5DFN

onsemi

825 -
RFQ
MBR30170MFST1G

데이터시트

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active Schottky 170 V 30A 890 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 170 V 821pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) -55°C ~ 175°C
D8020LTP

D8020LTP

DIODE GP 800V 12.7A TO220AB-L

Littelfuse Inc.

2,457 -
RFQ
D8020LTP

데이터시트

- TO-220-3 Isolated Tab Tube Active Standard 800 V 12.7A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 4 µs 20 µA @ 800 V - - - Through Hole TO-220AB-L -40°C ~ 125°C
PDS4200H-13

PDS4200H-13

DIODE SCHOTTKY 200V 4A POWERDI5

Diodes Incorporated

997 -
RFQ
PDS4200H-13

데이터시트

- PowerDI™ 5 Tape & Reel (TR) Active Schottky 200 V 4A 840 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 200 V - - - Surface Mount PowerDI™ 5 -65°C ~ 175°C
STTH30AC06FP

STTH30AC06FP

DIODE GP 600V 30A TO220FPAC

STMicroelectronics

1,201 -
RFQ
STTH30AC06FP

데이터시트

ECOPACK® TO-220-3 Full Pack Tube Active Standard 600 V 30A 1.95 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 20 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220FPAC 175°C (Max)
APT60DQ120BG

APT60DQ120BG

DIODE GP 1.2KV 60A TO247

Microchip Technology

194 -
RFQ
APT60DQ120BG

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 60A 3.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 320 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
BY4

BY4

DIODE GEN PURP 4000V 1A AXIAL

Diotec Semiconductor

1,954 -
RFQ
BY4

데이터시트

- Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 4000 V 1A 4 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 1 µA @ 4000 V - - - Through Hole Axial -50°C ~ 150°C
VS-10ETS12FP-M3

VS-10ETS12FP-M3

DIODE GP 1.2KV 10A TO220-2FP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,692 -
RFQ
VS-10ETS12FP-M3

데이터시트

- TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 1200 V 10A 1.1 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220-2 Full Pack -40°C ~ 150°C
VS-20ETS08S-M3

VS-20ETS08S-M3

DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,643 -
RFQ
VS-20ETS08S-M3

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 800 V 20A 1.1 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 800 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
VS-20ETS12S-M3

VS-20ETS12S-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,229 -
RFQ
VS-20ETS12S-M3

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 1200 V 20A 1.1 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
DURF840

DURF840

DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC

Littelfuse Inc.

6,385 -
RFQ
DURF840

데이터시트

DUR TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 400 V 8A 1.3 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 10 µA @ 400 V - - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
VS-HFA08SD60STR-M3

VS-HFA08SD60STR-M3

DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,449 -
RFQ
VS-HFA08SD60STR-M3

데이터시트

HEXFRED® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 8A 1.7 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 5 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -55°C ~ 150°C
IDD03SG60CXTMA2

IDD03SG60CXTMA2

DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-3

Infineon Technologies

2,539 -
RFQ
IDD03SG60CXTMA2

데이터시트

CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 3A 2.3 V @ 3 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 15 µA @ 600 V 60pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-3 -55°C ~ 175°C
RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9

DIODE GP 600V 20A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

316 -
RFQ
RFN20TJ6SGC9

데이터시트

- TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 20A 1.55 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 140 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220ACFP 150°C (Max)
ACDBA1100LR-HF

ACDBA1100LR-HF

DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC

Comchip Technology

1,448 -
RFQ
ACDBA1100LR-HF

데이터시트

- DO-214AC, SMA Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 1A 750 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 100 V 120pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount DO-214AC (SMA) -55°C ~ 150°C
S4D02120E

S4D02120E

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2A DPAK

SMC Diode Solutions

6,747 -
RFQ
S4D02120E

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 2A 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 116pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
NRVTS30100MFST3G

NRVTS30100MFST3G

DIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFN

onsemi

3,043 -
RFQ
NRVTS30100MFST3G

데이터시트

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 30A 760 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 100 V 2540pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) -55°C ~ 175°C
IDH04G65C5XKSA2

IDH04G65C5XKSA2

DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-1

Infineon Technologies

1,631 -
RFQ
IDH04G65C5XKSA2

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 650 V 130pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
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